미국 정부가 인공지능(AI) 공급망 자립을 위해 글로벌 D램 시장의 70%를 공급하는 삼성전자와 SK하이닉스를 상대로 미국 현지 메모리 생산 확대를 촉구했다.
테크타임스는 25일(현지시각) 미국 상무부가 한국 메모리 제조사들에 미국 영토 내 메모리 반도체 생산 시설 확충을 요구하고 있다고 보도했다. 이번 요구는 한국 반도체 기업들이 발표한 대규모 한국 투자 구상과 맞물리며 향후 설비투자(CAPEX) 배분의 핵심 변수로 떠올랐다.
패키징 넘어 전공정 생산을 겨냥한 미국의 유치 압박
미국 정부는 기존 위탁생산(파운드리)과 후공정 패키징에 머물던 반도체 공급망을 D램과 낸드플래시를 직접 제조하는 전공정 단계까지 넓히려는 의지를 보인다. 현재 삼성전자는 텍사스주 테일러에 파운드리 생산 라인을 짓고 있다. SK하이닉스는 인디애나주 웨스트라파예트에 38억 7000만 달러(약 5조 3522억 원)를 들여 첨단 패키징 연구와 생산 시설을 짓기로 결정했다.
그러나 현재 미국 영토 안에는 한국 기업이 운영하는 최신 메모리 반도체 전공정 팹이 없다. 인디애나 공장 역시 한국 이천과 용인에서 만든 고대역폭메모리(HBM) 다이를 들여와 조립하는 후공정 거점에 해당한다. 미국 상무부는 핵심 메모리 원판 제조 거점을 자국에 직접 유치해 AI 하드웨어 가치사슬 전반을 완성하겠다는 구상이다.
두 배에 달하는 공장 건설 비용과 인프라 장벽
첨단 메모리 전공정 공장을 미국에 짓는 데는 막대한 비용과 시간이 걸린다. 미국 내 반도체 팹 건설 비용은 한국보다 약 2배 수준에 달하는 것으로 추정된다. 대규모 전력망과 초순수 용수 공급 설비, 반도체용 특수 화학물질 공급망을 갖추는 일도 선결 과제로 꼽힌다.
HBM 제조는 일반 D램보다 공정이 복잡해 고도의 숙련 엔지니어가 대거 투입돼야 한다. SK하이닉스가 인디애나 패키징 공장에 연방 보조금 4억 5800만 달러(약 6334억 원)를 지원받았으나, 수십조 원이 드는 전공정 팹을 짓기에는 보조금 규모가 턱없이 부족하다는 것이 업계의 공통된 분석이다. 착공에서 양산까지 통상 수년이 걸리는 점을 고려하면 단기간에 현지 전공정 공급망을 완성하기는 쉽지 않다는 분석이 나온다.
800조 원 한국 투자 속 설비투자 분산 리스크
한국 기업들은 이미 호남 반도체 클러스터 등 한국 내에 약 800조 원(약 5784억 달러) 규모의 대규모 제조 시설 투자를 약속한 상태다. 테크타임스는 대규모 한국 투자가 예정된 상황에서 미국 전공정 팹 건설 요구가 겹치면 두 회사의 자본 배분 부담이 가중될 수 있다고 짚었다. 현재 구체적인 미국 전공정 투자 규모와 세부 계획은 공시되지 않았다.
여기에 중국 창신메모리(CXMT)가 범용 D램 시장에서 가격 경쟁력을 앞세워 점유율을 넓히는 점도 부담 요인이다. 한국 기업들은 차세대 HBM4 등 고부가가치 제품에 집중하며 기술 격차를 유지하고 있으나, 생산 거점 분산에 따른 투자 효율성 유지가 주요 과제로 대두된다.
미국의 추가 보조금 지원 여부와 인센티브 조건이 구체화되는 시점이 향후 글로벌 공급망 전략의 중요한 관전 포인트다. 전 세계 D램 시장의 70%와 HBM의 79%를 공급하는 한국 기업들이 한국 생산 거점의 생산성을 지키면서 통상 압박을 풀어낼 수 있을지가 향후 시장의 핵심 쟁점으로 꼽힌다.
